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科研机构
半导体研究所 [47]
内容类型
期刊论文 [44]
会议论文 [3]
发表日期
2011 [1]
2010 [2]
2009 [5]
2008 [4]
2007 [2]
2006 [5]
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学科主题
半导体材料 [47]
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学科主题:半导体材料
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Investigation of a GaN Nucleation Layer on a Patterned Sapphire Substrate
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: article no.68502
Wu M
;
Zeng YP
;
Wang JX
;
Hu Q
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2011/07/05
LIGHT-EMITTING-DIODES
ULTRAVIOLET
GROWTH
Catalytic Activation of Mg-Doped GaN by Hydrogen Desorption Using Different Metal Thin Layers
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2010, 卷号: 49, 期号: 10, 页码: art. no. 100201
Wei TB (Wei Tongbo)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Liu NX (Liu Naixin)
;
Lu HX (Lu Hongxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Wang GH (Wang Guohong)
;
Li JM (Li Jinmin)
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/14
LOW-TEMPERATURE ACTIVATION
FILMS
Effects of annealing treatment on the formation of CO2 in ZnO thin films grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 8, 页码: 2606-2610
作者:
Wei HY
;
Jia CH
;
Jiao CM
;
Song HP
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浏览/下载:156/40
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提交时间:2010/04/04
ZnO
Metal-organic chemical vapor deposition
Infrared absorption
Surface
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
POLAR-SURFACE
EPITAXY
Annealing behaviors of long-wavelength InAs/GaAs quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284
作者:
Ye XL
;
Liang S
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浏览/下载:33/4
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提交时间:2010/03/08
Photoluminescence
Metalorganic vapor phase epitaxy
Self-assembled quantum dots
Indium arsenide
Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 34-38
Xie Jing
;
Liu Yunfei
;
Yang Jinling
;
Tang Longjuan
;
Yang Fuhua
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/11/23
The structural, morphological and magnetic characteristics of Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 1, 页码: 91-93
Sun LL
;
Yan FW
;
Wang JX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:221/46
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提交时间:2010/03/08
ROOM-TEMPERATURE
THIN-FILMS
(GA
MN)N
Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 151-154
作者:
Li Yan
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 31-33
作者:
Ke Jianhong
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films
期刊论文
science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2008, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 237-242
Liu, B
;
Zhang, R
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Li, L
;
Kong, JY
;
Yu, HQ
;
Han, P
;
Gu, SL
;
Shi, Y
;
Zheng, YD
;
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:51/2
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提交时间:2010/03/08
metalorganic chemical vapor deposition
X-ray diffraction
photoluminescence
Mn-including InAs quantum dots fabricated by Mn implantation
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2869-2873
Hu, LJ
;
Chen, YH
;
Ye, XL
;
Jiao, YH
;
Shi, LW
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/03/08
Mn-including
InAs quantum dots
PL
magnetic
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