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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Behavioural investigation of InN nanodots by surface topographies and phase images 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 44, 页码: 445306 Deng, QW; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Yin, HB; Chen, H; Lin, DF; Li, JM; Wang, ZG; Hou, X 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/06 QUANTUM DOTS  SOLAR-CELLS  GROWTH  FILMS  GAN   Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101 Deng QW; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Chen H; Lin DF; Jiang LJ; Feng C; Li JM; Wang ZG; Hou X 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  BAND-GAP  MG  PHOTOLUMINESCENCE  INGAN  DEPENDENCE  STRAIN  ENERGY  INN   Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104 作者:  Deng QW 收藏  |  浏览/下载：47/5  |  提交时间：2011/07/05 QUANTUM-WELL-STRUCTURE  ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE  YELLOW LUMINESCENCE  DEEP LEVELS  TRAP  PERFORMANCE  FREQUENCY  EPILAYERS  ORIGIN  DIODES   The influence of the InGaN back-barrier on the properties of Al(0.3)Ga(0.7)N/AlN/GaN/InGaN/GaN structure 期刊论文 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 10102 Bi Y; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Peng EC; Lin DF; Feng C; Jiang LJ 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2012/01/06 ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  ALGAN/GAN  POLARIZATION  PASSIVATION  HFETS  GHZ   Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1) 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100 Wei, M; Wang, XL; Pan, X; Xiao, HL; Wang, CM; Hou, QF; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/01/06 GaN  MOCVD  Si(111)  AlN  VAPOR-PHASE EPITAXY  LAYERS  SUBSTRATE  MOCVD  STRESS   Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 Pan X; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Feng C; Jiang LJ; Yin HB; Chen H 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  VAPOR-PHASE EPITAXY  GROUP-III NITRIDES  INVERSION DOMAINS  HIGH-TEMPERATURE  GAN  SI(111)  ALN  SAPPHIRE   The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216 作者:  Bi Y;  Lin DF;  Peng EC 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2011/09/14 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS  ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS  MILLIMETER-WAVE APPLICATIONS  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  HETEROJUNCTION FETS  HETEROSTRUCTURES  PASSIVATION  CONFINEMENT  PERFORMANCE  BARRIERS   Theoretical study on InxGa1-xN/GaN quantum dots solar cell 期刊论文 physica b-condensed matter, 2011, 卷号: 406, 期号: 1, 页码: 73-76 作者:  Hou QF;  Yin HB;  Deng QW 收藏  |  浏览/下载：92/9  |  提交时间：2011/07/05 Efficiency  Quantum dot  GaN  EFFICIENCY   Theoretical investigation of efficiency of a p-a-SiC: H/i-a-Si: H/n-μ c-Si solar cell 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 10, 页码: 103003-1-103003-5 作者:  Deng Qingwen;  Hou Qifeng;  Xiao Hongling 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2011/08/16