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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2006 [1]
2003 [2]
1996 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2010/04/11
MOCVD
GaN
resistivity
TSC
N-TYPE GAN
DOPED GAN
SPECTROSCOPY
CARBON
FE
Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218
Dong HW
;
Zhao YW
;
Li JM
收藏
  |  
浏览/下载:48/0
  |  
提交时间:2010/08/12
semi-insulating InP
ion implantation
silicon
annealing
activation
SI+-IMPLANTATION
PHOSPHIDE VAPOR
UNDOPED INP
FE
WAFERS
UNIFORMITY
PRESSURE
Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Jiao JH
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/08/12
diffusion
interfaces
substrates
molecular beam epitaxy
phosphides
semiconducting indium phosphide
UNDOPED SEMIINSULATING INP
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHOSPHIDE VAPOR
FE
INTERFACE
PHOTOLUMINESCENCE
WAFER
UNIFORMITY
DIFFUSION
PRESSURE
Formation of Fe-N films containing Fe6N2 phase by ion beam assisted deposition
期刊论文
thin solid films, 1996, 卷号: 274, 期号: 0, 页码: 63-65
Jiang H
;
Yao Z
;
Huang D
;
Qin F
;
Liu Z
;
Tao K
;
Li H
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2010/11/17
ion implantation
magnesium
nitrides
plasma processing and deposition
NITROGEN-IMPLANTATION
IRON FILMS
FE16N2
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