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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 First-principles study of native defects in rutile TiO2 期刊论文 physics letters a, 2008, 卷号: 372, 期号: 9, 页码: 1527-1530 Peng, H 收藏  |  浏览/下载：86/28  |  提交时间：2010/03/08 defects  rutile  TiO2  first-principles   Point defects in III-V compound semiconductors 期刊论文 defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93 Chen N 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 compound semiconductors  point defects  deep level centres  stoichiometry  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS SINGLE-CRYSTALS  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  SEMI-INSULATING GAAS  ELECTRICAL-PROPERTIES  LATTICE-PARAMETER  NATIVE DEFECTS  CARBON  DIFFRACTOMETER  STOICHIOMETRY   Stoichiometric defects in semi-insulating GaAs 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 173, 期号: 0, 页码: 325-329 Chen NF; He HJ; Wang YT; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Excess arsenic in GaAs grown at low temperatures by molecular beam epitaxy 期刊论文 japanese journal of applied physics part 2-letters, 1996, 卷号: 35, 期号: 10a, 页码: l1238-l1240 Chen NF; Wang YT; He HJ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 gallium arsenide  low temperature  As interstitials  As interstitial couples  molecular beam epitaxy  X-ray rocking curve  lattice parameter  GALLIUM-ARSENIDE  LAYERS  DEPENDENCE