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分子束外延生长的 InAs/GaSb 二类超晶格材料的电学性质研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
郭晓璐
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2013/06/24
甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
卫炀; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2014/10/31
钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
曹玉莲; 马文全; 张艳华
收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2014/10/31
一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
郭晓璐; 马文全; 张艳华
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2014/11/24
InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
黄建亮; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2014/10/31


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