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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
1995 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Strain effects on optical polarisation properties in (11(2)over-bar2) plane GaN films
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: art. no. 117104
Hao GD (Hao Guo-Dong)
;
Chen YH (Chen Yong-Hai)
;
Fan YM (Fan Ya-Ming)
;
Huang XH (Huang Xiao-Hui)
;
Wang HB (Wang Huai-Bing)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/12/28
LIGHT-EMITTING-DIODES
WURTZITE SEMICONDUCTORS
QUANTUM-WELLS
MATRIX-ELEMENTS
SEMIPOLAR
SAPPHIRE
Well-width dependence of in-plane optical anisotropy in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells induced by in-plane uniaxial strain and interface asymmetry
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10, 页码: art. no. 103108
作者:
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:69/0
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
gallium arsenide
III-V semiconductors
internal stresses
reflectivity
semiconductor heterojunctions
semiconductor quantum wells
INPLANE X-RAY-SCATTERING OF EPITAXIAL STRUCTURES
期刊论文
journal of crystal growth, 1995, 卷号: 152, 期号: 4, 页码: 354-358
CUI SF
;
WANG YT
;
ZHUANG Y
;
LI M
;
MAI ZH
收藏
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浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2010/11/17
STRAIN RELAXATION
HETEROEPITAXIAL LAYERS
DEVICE STRUCTURES
ROCKING CURVES
SUPERLATTICES
DIFFRACTION
HETEROSTRUCTURES
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