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MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:  Jia CH;  Song HP
收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05
Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:  Wei HY
收藏  |  浏览/下载：236/104  |  提交时间：2010/03/08
Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77
作者:  Li DB
收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12
Investigation of GaN layer grown on Si(111) substrate using an ultrathin AlN wetting layer 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84
作者:  Han PD
收藏  |  浏览/下载：74/5  |  提交时间：2010/08/12
High-quality GaN grown by gas-source MBE 会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Wang JX; Sun DZ; Wang XL; Li JM; Zeng YP; Hou X; Lin LY
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15
High-quality GaN grown by gas-source MBE 期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 386-389
Wang JX; Sun DZ; Wang XL; Li JM; Zeng YP; Hou X; Lin LY
收藏  |  浏览/下载：113/14  |  提交时间：2010/08/12
The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490
Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang D; Lu DC; Wang ZG; Wang YT; Cheng LS; Zhang Z
收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12

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