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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
1998 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
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The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 189, 期号: 0, 页码: 287-290
Liu XL
;
Wang LS
;
Lu DC
;
Wang D
;
Wang XH
;
Lin LY
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提交时间:2010/08/12
MOVPE
GaN
GaN Buffer
heavy Si-doping
The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
会议论文
2nd international conference on nitride semiconductors (icns 97), tokushima city, japan, oct 27-31, 1997
Liu XL
;
Wang LS
;
Lu DC
;
Wang D
;
Wang XH
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2010/11/15
MOVPE
GaN
GaN Buffer
heavy Si-doping
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