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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Self-Catalyzed Growth of Vertical GaSb Nanowires on InAs Stems by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2017, 卷号: 12, 页码: 1-8 作者:  Xianghai Ji;  Xiaoguang Yang;  Tao Yang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/05/23 InAs/GaSb core-shell nanowires grown on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 nanotechnology, 2016, 卷号: 27, 期号: 27, 页码: 275601 Xianghai Ji; Xiaoguang Yang; Wenna Du; Huayong Pan; Shuai Luo; Haiming Ji; H Q Xu; Tao Yang 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/10 Selective-Area MOCVD Growth and Carrier-Transport-Type Control of InAs(Sb)/GaSb Core-Shell Nanowires 期刊论文 nano letters, 2016, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 7580-7587 Xianghai Ji; Xiaoguang Yang; Wenna Du; Huayong Pan; Tao Yang 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/10 Self-catalyzed growth mechanism of InAs nanowires and growth of InAs/GaSb heterostructured nanowires on Si substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2015, 卷号: 426, 页码: 287–292 XiaoyeWang; WennaDu; XiaoguangYang; XingwangZhang; TaoYang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/03/22 Synthesis, properties, and top-gated metal–oxide–semiconductor field-effect transistors of p-type GaSb nanowires 期刊论文 RSC Advances, 2013, 期号: 43, 页码: 19834-19839 Guangwei Xu, Shaoyun Huang, Xiaoye Wang, Bin Yu, Hui Zhang, Tao Yang, H. Q. Xu and Lun Dai 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2014/02/12