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半导体研究所 [24]
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2010 [1]
2009 [1]
2008 [3]
2007 [4]
2006 [4]
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学科主题
半导体材料 [24]
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学科主题:半导体材料
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MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
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浏览/下载:121/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Li YB (Li Yanbo)
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浏览/下载:148/33
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提交时间:2010/06/04
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 27-30
作者:
Ke Jianhong
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Guo, LC
;
Li, JP
;
Liu, HX
;
Chen, YL
;
Yang, FH
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor (HEMT)
Si (111)
Hillocks and hexagonal pits in a thick film grown by HVPE
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1556-1559
作者:
Duan RF
;
Wei TB
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浏览/下载:299/42
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提交时间:2010/03/08
GaN
HVPE
Hillocks
Pits
Cathodoluminescence
Strain status in ZnO film on sapphire substrate with a GaN buffer layer grown by metal-source vapor phase epitaxy
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1542-1544
Cui JP
;
Duan Y
;
Wang XF
;
Zeng YP
收藏
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浏览/下载:222/122
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提交时间:2010/03/08
ZnO film
Strain status
GaN buffer layer
Sapphire
MVPE
Characteristics of high Al content AlxGa1-xN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
microelectronics journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 8-9, 页码: 838-841
Wang XY (Wang, Xiaoyan)
;
Wang XL (Wang, Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu, Guoxin)
;
Wang BZ (Wang, Baozhu)
;
Ma ZY (Ma, Zhiyong)
;
Xiao HL (Xiao, Hongling)
;
Wang CM (Wang, Cuimei)
;
Ran JX (Ran, Junxue)
;
Li JP (Li, Jianping)
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/29
AlxGa1-xN
Surface plasmon enhanced ultraviolet emission from ZnO films deposited on Ag/Si(001) by magnetron sputtering
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 23, 页码: art. no. 231907
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Fan YM
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浏览/下载:56/1
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Structural and Optical Performance of GaN Thick Film Grown by HVPE
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 19-23
作者:
Duan Ruifei
;
Liu Zhe
;
Duan Ruifei
;
Wei Tongbo
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Rapid thermal annealing properties of ZnO films grown using methanol as oxidant
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 19, 页码: 6010-6013
Zhang PF (Zhang, P. F.)
;
Liu XL (Liu, X. L.)
;
Wei HY (Wei, H. Y.)
;
Fan HB (Fan, H. B.)
;
Liang ZM (Liang, Z. M.)
;
Jin P (Jin, P.)
;
Yang SY (Yang, S. Y.)
;
Jiao CM (Jiao, C. M.)
;
Zhu QS (Zhu, Q. S.)
;
Wang ZG (Wang, Z. G.)
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
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