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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In-plane stray field induced spin-filtering in a two-dimensional electron gas under the modulation of surface ferromagnetic dual-gate 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073703 Wang Y (Wang Y.); Jiang Y (Jiang Y.); Zhang XW (Zhang X. W.); Yin ZG (Yin Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/14 BARRIER STRUCTURE  MAGNETIC-FIELD  POLARIZATION  CONDUCTANCE  DEVICE   Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720 Zhang YJ; Chang BK; Yang Z; Niu J; Xiong YJ; Shi F; Guo H; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：83/25  |  提交时间：2010/03/08 GAAS PHOTOCATHODES  GALLIUM-ARSENIDE  ALXGA1-XAS  DIFFUSION  SURFACE  ENERGY   Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InGaAs overgrowth layer  photoluminescence  molecular beam epitaxy  1.3 MU-M  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  EMISSION  LASERS  ENERGY   Effects of growth temperature on highly mismatched InAs grown on GaAs substrates by MBE 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 186, 期号: 1-2, 页码: 38-42 Wang HM; Fan TW; Wu J; Zeng YP; Dong JR; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CRITICAL LAYER THICKNESS  THREADING DISLOCATIONS  OVAL DEFECTS  HETEROSTRUCTURES  INXGA1-XAS  ENERGY  SI