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半导体研究所 [21]
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学科主题
半导体材料 [21]
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学科主题:半导体材料
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Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716
作者:
Yin ZG
;
Zhang XW
;
Tan HR
;
Fan YM
;
Zhang SG
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浏览/下载:42/3
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提交时间:2011/07/05
HIGH-PRESSURE SYNTHESIS
VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION
EMISSION
DIAMOND
GROWTH
Electrical bistability and negative differential resistance in diodes based on silver nanoparticle-poly(N-vinylcarbazole) composites
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 9, 页码: art. no. 094320
Tang AW (Tang Aiwei)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Hou YB (Hou Yanbing)
;
Teng F (Teng Feng)
;
Tan HR (Tan Hairen)
;
Liu J (Liu Jie)
;
Zhang XW (Zhang Xingwang)
;
Wang YS (Wang Yongsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/12/12
THIN-FILM
OPTICAL-PROPERTIES
RAMAN-SCATTERING
MEMORY DEVICES
NANOPARTICLES
NANOCRYSTALS
MOLECULE
CLUSTERS
Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films
期刊论文
diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376
Ying J (Ying J.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Tan HR (Tan H. R.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/12/28
Cubic boron nitride
Doping
Ion beam assisted deposition
X-ray photoelectron spectroscopy
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
VAPOR-DEPOSITION
SI
NUCLEATION
GROWTH
Boron-doped silicon film as a recombination layer in the tunnel junction of a tandem solar cell
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 25-28
作者:
Liu Shiyong
;
Peng Wenbo
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 31-33
作者:
Ke Jianhong
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
Peculiarity of constant photocurrent method for silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2008, 卷号: 354, 期号: 19-25, 页码: 2282-2285
Kazanskii, AG
;
Kong, GL
;
Zeng, XB
;
Hao, HY
;
Liu, FZ
收藏
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浏览/下载:104/29
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提交时间:2010/03/08
silicon
conductivity
chemical vapor deposition
microcrystallinity
absorption
photoconductivity
AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMT structure with high mobility GaN thin layer as channel grown by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 835-839
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Ma ZY (Ma Zhiyong)
;
Ran JX (Ran Junxue)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Mao HL (Mao Hongling)
;
Tang H (Tang Han)
;
Li HP (Li Hanping)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Jinmin LM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/29
2DEG
Uniformity Investigation in 3C-SiC Epitaxial Layers Grown on Si Substrates by Horizontal Hot-Wall CVD
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-4
作者:
Liu Xingfang
;
Zhao Yongmei
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Influence of Al content on electrical and structural properties of Si-doped AlxGa1-xN/GaN HEMT structures
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Wang, CM
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Li, JP
收藏
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浏览/下载:120/30
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提交时间:2010/03/29
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE
MOBILITY TRANSISTORS
HETEROSTRUCTURES
SAPPHIRE
GANHEMTS
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
MOCVD
GaN
resistivity
TSC
N-TYPE GAN
DOPED GAN
SPECTROSCOPY
CARBON
FE
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