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半导体研究所 [17]

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半导体材料 [17]

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限定条件	学科主题：半导体材料

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	Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者: Pan X 收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION PHASE EPITAXY ALN INTERLAYERS FILMS STRESS LAYERS DISLOCATIONS REDUCTION DENSITY DIODES
	Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102 作者: Wei HY 收藏 \| 浏览/下载：237/104 \| 提交时间：2010/03/08 aluminium compounds carrier density carrier mobility dislocation density dislocation scattering gallium compounds III-V semiconductors semiconductor heterojunctions wide band gap semiconductors
	Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801 作者: Yang JK; Wei TB; Duan RF 收藏 \| 浏览/下载：74/3 \| 提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY DISLOCATIONS SUBSTRATE LAYER
	The influence of low-temperature Ge seed layer on growth of high-quality Ge epilayer on Si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 10, 页码: 2508-2513 Zhou ZW; Li C; Lai HK; Chen SY; Yu JZ 收藏 \| 浏览/下载：55/12 \| 提交时间：2010/03/08 characterization
	AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD 会议论文 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Tang, J; Wang, XL; Xiao, HL; Ran, JX; Wang, CM; Wang, XY; Hu, GX; Li, JM 收藏 \| 浏览/下载：47/0 \| 提交时间：2010/03/09 PERFORMANCE HETEROSTRUCTURES OPTIMIZATION MOBILITY
	Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278 Sun GS (Sun G. S.); Liu XF (Liu X. F.); Gong QC (Gong Q. C.); Wang L (Wang L.); Zhao WS (Zhao W. S.); Li JY (Li J. Y.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Li JM (Li J. M.) 收藏 \| 浏览/下载：45/0 \| 提交时间：2010/04/11 4H-SiC homoepitaxial layers surface morphological defect optical microscopy SILICON-CARBIDE DISLOCATIONS FILMS
	Photoluminescence investigation of two-dimensional electron gas in an undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructure 期刊论文 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 2096-2099 Han, XX; Wu, JJ; Li, JM; Cong, GW; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏 \| 浏览/下载：45/17 \| 提交时间：2010/03/17 DISLOCATION SCATTERING
	Ordering growth of InAs quantum dots on ultra-thin InGaAs strained layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 60-64 Zhang, CL; Wang, ZG; Zhao, FA; Xu, B; Jin, P 收藏 \| 浏览/下载：212/52 \| 提交时间：2010/03/09 line defects
	Dislocation scattering in a two-dimensional electron gas of an AlxGa1-xN/GaN heterostructure 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 2004, 卷号: 241, 期号: 13, 页码: 3000-3008 作者: Han XX; Li DB 收藏 \| 浏览/下载：117/32 \| 提交时间：2010/03/09 FIELD-EFFECT TRANSISTORS
	Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏 \| 浏览/下载：25/0 \| 提交时间：2010/08/12 amorphous layer dislocation transmission electron microscopy metalorganic chemical vapor deposition GaN MOLECULAR-BEAM EPITAXY HIGH-QUALITY GAN HETEROEPITAXIAL GROWTH ELECTRON-DIFFRACTION DEFECT STRUCTURE HETEROSTRUCTURE DISLOCATIONS MICROSCOPY (111)SI LAYER

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