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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [1]
2007 [1]
2005 [3]
2001 [1]
2000 [2]
1997 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:
Wei HY
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浏览/下载:236/104
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
carrier density
carrier mobility
dislocation density
dislocation scattering
gallium compounds
III-V semiconductors
semiconductor heterojunctions
wide band gap semiconductors
Comparison between gradient-doping GaAs photocathode and uniform-doping GaAs photocathode
期刊论文
applied optics, 2007, 卷号: 46, 期号: 28, 页码: 7035-7039
Yang Z (Yang Zhi)
;
Chang B (Chang Benkang)
;
Zou J (Zou Jijun)
;
Qiao J (Qiao Jianliang)
;
Gao P (Gao Pin)
;
Zeng Y (Zeng Yiping)
;
Li H (Li Hui)
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浏览/下载:50/0
  |  
提交时间:2010/03/29
ACTIVATED GAAS
Effects of different modified underlayer surfaces on growth and optical properties of InGaN quantum dots
期刊论文
vacuum, 2005, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 307-314
Han, XX
;
Li, JM
;
Wu, JJ
;
Wang, XH
;
Li, DB
;
Liu, XL
;
Han, PD
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/17
nanostructure
Site controlling of InAs quantum wires on cleaved edges of AlGaAs/GaAs superlattices
期刊论文
nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 1379-1382
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:219/41
  |  
提交时间:2010/03/17
DIFFUSION LENGTH
QE and Suns-V-oc study on the epitaxial CSiTF solar cells
期刊论文
science in china series e-engineering & materials science, 2005, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 41-52
Bin A
;
Shen H
;
Ban Q
;
Liang ZC
;
Chen RL
;
Shi ZR
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/17
SSP ribbon
Photoluminescence of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with different thickness of spacer layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 4, 页码: 520-524
Cao X
;
Zeng YP
;
Kong MY
;
Pan LA
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Wang XG
;
Chang Y
;
Chu JH
收藏
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浏览/下载:134/8
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
high electron mobility transistors
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR
CARRIER DENSITY
QUANTUM-WELLS
BAND-GAP
Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 72, 期号: 2-3, 页码: 189-192
作者:
Yu F
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
solid phase epitaxy
silicon on sapphire (SOS)
carrier mobility
Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy
会议论文
international conference on advanced materials: sympopsium m - silicon-based materials and devices, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
作者:
Yu F
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/15
solid phase epitaxy
silicon on sapphire (SOS)
carrier mobility
808 nm high-power laser grown by MBE through the control of Be diffusion and use of superlattice
期刊论文
journal of crystal growth, 1997, 卷号: 175, 期号: 0, 页码: 1004-1008
Zhu DH
;
Wang ZG
;
Liang JB
;
Xu B
;
Zhu ZP
;
Zhang J
;
Gong Q
;
Li SY
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/17
high-power
semiconductor laser
MBE
quantum well
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
QUANTUM-WELL LASERS
BERYLLIUM
DIODES
MIGRATION
OPERATION
MIRRORS
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