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科研机构
半导体研究所 [4]
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期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2006 [1]
2001 [1]
2000 [2]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Ren YY (Ren Y. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:105/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
QUANTUM-DOTS
SELF-ORGANIZATION
ISLANDS
NANOSTRUCTURES
SUPERLATTICES
GROWTH
SURFACE
GAAS(100)
Polarity dependence of hexagonal inclusions and cubic twins in GaN/GaAs(001) epilayers measured by conventional X-ray pole figure and grazing incident diffraction pole figure
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 1, 页码: 57-61
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
  |  
浏览/下载:88/13
  |  
提交时间:2010/08/12
characterization
defects
X-ray diffraction
metalorganic vapor phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GAN
GROWTH
EPITAXY
Influence of precipitates on GaN epilayer quality
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 214-217
Kang JY
;
Huang QS
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/08/12
precipitate
GaN
WDS
TEM
cathodoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
MECHANISM
GROWTH
Influence of precipitates on GaN epilayer quality
会议论文
iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
Kang JY
;
Huang QS
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/15
precipitate
GaN
WDS
TEM
cathodoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
MECHANISM
GROWTH
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