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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [1]
1993 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
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Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
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浏览/下载:81/5
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提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
Intervalley Г-X deformation potentials in III-V zincblende and si senic-conductors by Ab Inition pseudopotential calculations
期刊论文
Communications in Theoretical Physics, 1993, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 159
Wang Jianqing
;
Gu Zongquan
;
Li Mingfu
;
Lai Wuyan
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提交时间:2010/11/23
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