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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文 journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125 作者:  Wang C 收藏  |  浏览/下载：70/3  |  提交时间：2011/07/05 Hydrogenated nanocrystalline silicon  Buffer layer  i/p interface  Solar cells  OPEN-CIRCUIT VOLTAGE  A-SI-H  P/I-INTERFACE  MICROCRYSTALLINE SILICON  VAPOR-DEPOSITION  FILMS  CAPACITANCE  EFFICIENCY  CRYSTALLINE  TEMPERATURE   Dielectric relaxation and giant dielectric constant of Nb-doped CaCu3Ti4O12 ceramics under dc bias voltage 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 3, 页码: 562-566 Liu P; He Y; Zhou JP; Mu CH; Zhang HW 收藏  |  浏览/下载：158/21  |  提交时间：2010/03/08 COPPER-TITANATE  GRAIN-BOUNDARY  BEHAVIOR   High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz 期刊论文 solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 Wang, XL; Chen, TS; Xiao, HL; Wang, CM; Hu, GX; Luo, WJ; Tang, J; Guo, LC; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：78/1  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMTs  SiC  power   The structure and current-voltage characteristics of multi-sheet InGaN quantum dots grown by a new multi-step method 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 19-24 Chen Z; Lu DC; Han P; Liu XL; Wang XH; Li YF; Yuan HR; Lu Y; Bing LD; Zhu QS; Wang ZG; Wang XF; Yan L 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  SELF-ORGANIZED GROWTH  EPITAXIAL-GROWTH  GAAS  GAN  PHOTOLUMINESCENCE  SURFACTANT  ALGAAS  WIRE