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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Development of cross-hatch grid morphology and its effect on ordering growth of quantum dots 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 592-596 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/17 stress   Electronic characteristics of InAs/GaAs self-assembled quantum dots by deep level transient spectroscopy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 107-112 Wang HL; Ning D; Zhu HJ; Chen F; Wang H; Wang XD; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled quantum dots  InAs/GaAs  DLTS  PL  activation energy  capture barrier  ENERGY-LEVELS  CARRIER RELAXATION  GROWTH   Relaxed GexSi1-x layer formation with reduced dislocation density grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2000, 卷号: 70, 期号: 4, 页码: 449-451 Luo GL; Chen PY; Lin XF; Tsien P; Fan TW 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-ELECTRON-MOBILITY  BUFFER LAYER  SI/SIGE HETEROSTRUCTURES  SI  TEMPERATURE  SILANE  FILMS   Growth of high-quality relaxed In0.3Ga0.7As/GaAs superlattices 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 3, 页码: 297-300 Pan D; Zeng YP; Wu J; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/17 MBE growth  strained superlattice  EPITAXIAL MULTILAYERS  MISFIT DISLOCATIONS  LAYERS  RELAXATION  DEFECTS  STRAIN  FILMS