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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Rapid thermal annealing properties of ZnO films grown using methanol as oxidant 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 19, 页码: 6010-6013 Zhang PF (Zhang, P. F.); Liu XL (Liu, X. L.); Wei HY (Wei, H. Y.); Fan HB (Fan, H. B.); Liang ZM (Liang, Z. M.); Jin P (Jin, P.); Yang SY (Yang, S. Y.); Jiao CM (Jiao, C. M.); Zhu QS (Zhu, Q. S.); Wang ZG (Wang, Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Nanoelectronic devices-resonant tunnelling diodes grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature 期刊论文 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1335-1338 作者:  Zhang Y 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 resonant tunnelling diode  InP substrate  molecular beam epitaxy  high resolution transmission electron microscope  CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS  INTRINSIC BISTABILITY  CIRCUIT   Effect of spontaneous and piezoelectric polarization on intersubband transition in AlxGa1-xN-GaN quantum well 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2004, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 2568-2573 Li, JM; Lu, YW; Li, DB; Han, XX; Zhu, QS; Liu, XL; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/03/17 RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY   The effect of inserting strain-compensated GaNAs layers on the luminescence properties of GaInNAs/GaAs quantum well 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 339-344 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum wells  GaInNAs  strain-compensated GaNAs layers  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHOTOLUMINESCENCE  LASERS  THRESHOLD   Effect of ion-induced damage on GaNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 140-144 Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Wang XY; Wu RH; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：100/7  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  quantum wells  BAND-GAP ENERGY  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  GANXAS1-X  FILMS   Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 501-505 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：147/24  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting IIIV materials  LUMINESCENCE  GAASN