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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Homoepitaxial Growth of 4H-SiC and Ti/4H-SiC SBDs 期刊论文 人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 1006-1010 作者:  NING Jin;  LIU Xingfang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 High Temperature Characteristics of 3C-SiC/Si Heterojunction Diodes Grown by LPCVD 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 1091-1096 Zhang Yongxing; Sun Guosheng; Wang Lei; Zhao Wanshun; Gao Xin; Zeng Yiping; Li Jinmin; Li Siyuan 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 Studies of 6H-SiC devices 期刊论文 current applied physics, 2002, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 393-399 Wang SR; Liu ZL 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 SiC  Schottky  pn junction diodes  MOS capacitor  JUNCTION DIODES