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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Single Neutral Excitons Confined in AsBr3 In Situ Etched In GaAs Quantum Rings 期刊论文 journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2011, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 51-57 Ding F; Li B; Akopian N; Perinetti U; Chen YH; Peeters FM; Rastelli A; Zwiller V; Schmidt OG 收藏  |  浏览/下载：74/5  |  提交时间：2011/07/05 Quantum Ring  Quantum Dot  Neutral Exciton  Aharonov Bohm Effect  Gate Controlled  Selective Etching  ENERGY-SPECTRA   Electric-tunable magneto resistance effect in a two-dimensional electron gas modulated by hybrid magnetic-electric barrier nanostructure 期刊论文 physics letters a, 2009, 卷号: 373, 期号: 22, 页码: 1983-1987 作者:  Zhang XW;  Wang Y;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：127/57  |  提交时间：2010/03/08 Magnetic-electric barrier  Ballistic transport  Magnetoresistance   The effect of AlN growth time on the electrical properties of Al0.38Ga0.62N/AlN/GaN HEMT structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 415-418 Wang CM; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Xiao HL; Li JP 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 2DEG  MOCVD  semiconducting III-V materials  HEMT  power devices  HETEROSTRUCTURES  PASSIVATION  SAPPHIRE  ALGAN  FIELD  GAS   Influence of AlN interfacial layer on electrical properties of high-Al-content Al0.45Ga0.55N/GaN HEMT structure 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 762-765 Wang CM (Wang Cuimei); Wang XL (Wang Xiaoliang); Hu GX (Hu Guoxin); Wang JX (Wang Junxi); Li HP (Li Jianping); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/04/11 AlGaN/AlN/GaN  two-dimensional electron gas  MOCVD  ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  POLARIZATION  TRANSISTORS  GANHEMTS  GAS   Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 501-505 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：147/24  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting IIIV materials  LUMINESCENCE  GAASN   Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1062-1068 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：80/6  |  提交时间：2010/08/12 crystal morphology  quantum dots  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium arsenide  semiconducting indium gallium arsenide  1.35 MU-M  GAAS-SURFACES  PHOTOLUMINESCENCE  ISLANDS   The growth of an AlGaN/GaN modulation-doped heterostructure by NH3 source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 93-96 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Fu RH; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  2DEG  MD heterostructure  MBE  photoluminescence  GAN  LUMINESCENCE  PLASMA  GALLIUM NITRIDE