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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716 作者:  Yin ZG;  Zhang XW;  Tan HR;  Fan YM;  Zhang SG 收藏  |  浏览/下载：43/3  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-PRESSURE SYNTHESIS  VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION  EMISSION  DIAMOND  GROWTH   Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 13, 页码: art. no. 132908 Zheng XH (Zheng X. H.); Huang AP (Huang A. P.); Xiao ZS (Xiao Z. S.); Yang ZC (Yang Z. C.); Wang M (Wang M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang WW (Wang W. W.); Chu PK (Chu Paul K.) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/14 OXYGEN  GATE  DIFFUSION  FILMS   The growth of an AlGaN/GaN modulation-doped heterostructure by NH3 source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 93-96 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Fu RH; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  2DEG  MD heterostructure  MBE  photoluminescence  GAN  LUMINESCENCE  PLASMA  GALLIUM NITRIDE   Kinetics and transport model for the chemical vapor epitaxy of GexSi1-x 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 172, 期号: 0, 页码: 381-388 Jin XJ; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/17 ATMOSPHERIC-PRESSURE  DEPOSITION  GROWTH  SIH2CL2  LAYERS  SI   The dependence of GexSi1-x epitaxial growth on GeH4 flow using chemical vapour deposition 期刊论文 journal of materials science-materials in electronics, 1997, 卷号: 8, 期号: 6, 页码: 405-408 Jin XJ; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/08/12