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半导体研究所 [70]
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期刊论文 [63]
会议论文 [7]
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2009 [2]
2008 [1]
2006 [7]
2005 [1]
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学科主题
半导体材料 [70]
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学科主题:半导体材料
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Tunable Surface Electron Spin Splitting with Electric Double-Layer Transistors Based on InN
期刊论文
nano letters, 2013, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 2024–2029
Chunming Yin , Hongtao Yuan , Xinqiang Wang , Shitao Liu , Shan Zhang , Ning Tang, Fujun Xu , Zhuoyu Chen , Hidekazu Shimotani, Yoshihiro Iwasa, Yonghai Chen, Weikun Ge , and Bo Shen
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2014/03/18
Anomalous circular photogalvanic effect of the spin-polarized two-dimensional electron gas in Mg0.2Zn0.8O/ZnO heterostructures at room temperature
期刊论文
applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 19, 页码: 192405 - 192405-4
J. X. Duan, N. Tang, J. D. Ye, F. H. Mei, K. L. Teo, Y. H. Chen, W. K. Ge, B. Shen
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2014/02/12
Effect of polarization on intersubband transition in AlGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 19, 页码: 192109 - 192109-5
G. Chen, Z. L. Li, X. Q. Wang, C. C. Huang, X. Rong, L. W. Sang, F. J. Xu, N. Tang, Z. X. Qin, M. Sumiya, Y. H. Chen, W. K. Ge, B. Shen
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2014/02/12
Measurement of GaN/Ge(001) Heterojunction Valence Band Offset by X-Ray Photoelectron Spectroscopy
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: art. no. 067302
Guo Y (Guo Yan)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Song HP (Song Hua-Ping)
;
Yang AL (Yang An-Li)
;
Zheng GL (Zheng Gao-Lin)
;
Wei HY (Wei Hong-Yuan)
;
Yang SY (Yang Shao-Yan)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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浏览/下载:204/46
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提交时间:2010/07/05
GE
GAAS
GROWTH
Strong circular photogalvanic effect in ZnO epitaxial films
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 4, 页码: art. no. 041907
Zhang Q (Zhang Q.)
;
Wang XQ (Wang X. Q.)
;
Yin CM (Yin C. M.)
;
Xu FJ (Xu F. J.)
;
Tang N (Tang N.)
;
Shen B (Shen B.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Chang K (Chang K.)
;
Ge WK (Ge W. K.)
;
Ishitani Y (Ishitani Y.)
;
Yoshikawa A (Yoshikawa A.)
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浏览/下载:278/88
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提交时间:2010/09/07
II-VI semiconductors
photoconductivity
photovoltaic effects
semiconductor epitaxial layers
spin-orbit interactions
valence bands
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Temperature dependent spectral response characteristic of III-V compound tandem cell
期刊论文
chinese science bulletin, 2009, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 353-357
作者:
Wang Y
收藏
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浏览/下载:411/35
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提交时间:2010/03/08
spectral response
tandem cell
temperature coefficient
GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性
期刊论文
科学通报, 2009, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 16-20
作者:
刘磊
;
刘磊
;
刘磊
;
刘磊
;
汪宇
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/11/23
The influence of low-temperature Ge seed layer on growth of high-quality Ge epilayer on Si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 10, 页码: 2508-2513
Zhou ZW
;
Li C
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Yu JZ
收藏
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浏览/下载:55/12
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提交时间:2010/03/08
characterization
1.55-mu m resonant cavity enhanced photodiode based on MBE grown Ge quantum dots
会议论文
4th international conference on silicon epitaxy and heterostructures, awaji isl, japan, may 23-26, 2005
Yu, J
;
Kasper, E
;
Oehme, M
收藏
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浏览/下载:146/20
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提交时间:2010/03/29
SiGe
Study of nucleation positions of InAs islands on stripe-patterned GaAs(100) substrate
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 43-47
作者:
Jin P
;
Xu B
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浏览/下载:82/0
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提交时间:2010/04/11
patterned substrate
GaAs
molecular beam epitaxy
nucleation positions
ASSEMBLED QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GE ISLANDS
GROWTH
SURFACE
ARRAYS
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