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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2009 [1]
2004 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720
Zhang YJ
;
Chang BK
;
Yang Z
;
Niu J
;
Xiong YJ
;
Shi F
;
Guo H
;
Zeng YP
收藏
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浏览/下载:83/25
  |  
提交时间:2010/03/08
GAAS PHOTOCATHODES
GALLIUM-ARSENIDE
ALXGA1-XAS
DIFFUSION
SURFACE
ENERGY
InAs nanostructure grown with different growth rate in InAlAs matrix on InP (001) substrate
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2004, 卷号: 23, 期号: 1-2, 页码: 31-35
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:168/35
  |  
提交时间:2010/03/09
InAs
Identification of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy
期刊论文
vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 133-137
Wu Z
;
Huang D
;
Yang X
;
Wang J
;
Qin F
;
Zhang J
;
Yang Z
收藏
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浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/08/12
SPECTROSCOPY
ENERGY
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