QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Wang, XH; Wang, XL; Xiao, HL; Feng, C; Wang, XY; Wang, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/03/09 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TEMPERATURE  TRANSISTORS  GROWTH  MOCVD  LAYER   Preparation and characterization of GaN films by radio frequency magnetron sputtering and carbonized-reaction technique 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 6, 页码: 2153-2158 Zhang CG; Chen WD; Bian LF; Song SF; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2010/04/11 gallium nitride films  gallium oxide  carbonized-reaction  NITRIDE THIN-FILMS  TEMPERATURE  SUBSTRATE  SI(111)   Magnetic properties of silicon doped with gadolinium 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2003, 卷号: 77, 期号: 3-4, 页码: 599-602 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：322/10  |  提交时间：2010/08/12 METAL-INSULATOR-TRANSITION  BEAM EPITAXY TECHNIQUE  SEMICONDUCTING SILICIDES  INDUCED FERROMAGNETISM  FILMS  MAGNETORESISTANCE  TEMPERATURE  ALLOYS   A new method to fabricate InGaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 188-194 Chen Z; Lu DH; Yuan HR; Han P; Liu XL; Li YF; Wang XH; Lu Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：102/11  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  GAN BUFFER LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  PHASE EPITAXY  SURFACES  TEMPERATURE  DEPENDENCE  MODE  WIRE