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半导体研究所 [35]
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期刊论文 [31]
会议论文 [4]
发表日期
2013 [1]
2011 [4]
2009 [1]
2007 [1]
2006 [5]
2005 [2]
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学科主题
半导体材料 [35]
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学科主题:半导体材料
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540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier
期刊论文
ieee electron device letters, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 759-761
Cui, Kai
;
Ma, Wenquan
;
Zhang, Yanhua
;
Huang, Jianliang
;
Wei, Yang
;
Cao, Yulian
;
Guo, Xiaolu
;
Li, Qiong
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2013/08/27
Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125
作者:
Wang C
收藏
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浏览/下载:69/3
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提交时间:2011/07/05
Hydrogenated nanocrystalline silicon
Buffer layer
i/p interface
Solar cells
OPEN-CIRCUIT VOLTAGE
A-SI-H
P/I-INTERFACE
MICROCRYSTALLINE SILICON
VAPOR-DEPOSITION
FILMS
CAPACITANCE
EFFICIENCY
CRYSTALLINE
TEMPERATURE
Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501
作者:
Zhou GY
;
Zhang HY
;
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:68/4
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提交时间:2011/07/05
INAS ISLANDS
MU-M
ESCAPE
GAAS
GAAS(100)
SUBSTRATE
Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716
作者:
Yin ZG
;
Zhang XW
;
Tan HR
;
Fan YM
;
Zhang SG
收藏
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浏览/下载:42/3
  |  
提交时间:2011/07/05
HIGH-PRESSURE SYNTHESIS
VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION
EMISSION
DIAMOND
GROWTH
Optical properties of InAsSb nanostructures embedded in InGaAsSb strain reducing layer
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 869-873
作者:
Zhou XL
;
Li TF
收藏
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浏览/下载:31/1
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提交时间:2011/07/05
QUANTUM DOTS
LIGHT-EMISSION
WELLS
PHOTOLUMINESCENCE
Boron-doped silicon film as a recombination layer in the tunnel junction of a tandem solar cell
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 25-28
作者:
Liu Shiyong
;
Peng Wenbo
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
Deposition of p-type nc-SiC : H thin films with subtle carbon incorporation for applications in p-i-n solar cells
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 5, 页码: 2915-2919
Xu Y (Xu Ying)
;
Diao HW (Diao Hong-Wei)
;
Zhang SB (Zhang Shi-Bin)
;
Li XD (Li Xu-Dong)
;
Zeng XB (Zeng Xiang-Bo)
;
Wang WJ (Wang Wen-Jing)
;
Liao XB (Liao Xian-Bo)
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/03/29
infrared absorption spectra
Electrical properties of B-doped polycrystalline silicon thin films prepared by rapid thermal chemical vapour deposition
期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 497, 期号: 1-2, 页码: 157-162
Ai B
;
Shen H
;
Liang ZC
;
Chen Z
;
Kong GL
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/04/11
chemical vapour deposition
electrical properties and measurements
scanning electron microscopy
polycrystalline silicon
GRAIN-BOUNDARIES
STATES
Heterojunction solar cells with n-type nanocrystalline silicon emitters on p-type c-Si wafers
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2006, 卷号: 352, 期号: 9-20, 页码: 1972-1975
Xu Y (Xu Ying)
;
Hu ZH (Hu Zhihua)
;
Diao HW (Diao Hongwei)
;
Cai Y (Cai Yi)
;
Zhang SB (Zhang Shibin)
;
Zeng XB (Zeng Xiangbo)
;
Hao HY (Hao Huiying)
;
Liao XB (Liao Xianbo)
;
Fortunato E (Fortunato Elvira)
;
Martins R (Martins Rodrigo)
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/04/11
silicon
solar cells
heterojunctions
nanocrystals
CRYSTALLINE SILICON
LAYER
Nanostructure in the p-layer and its impacts on amorphous silicon solar cells
会议论文
21st international conference on amorphous and nanocrystalline semiconductors, lisbon, portugal, sep 04-09, 2005
Liao, XB (Liao, Xianbo)
;
Du, WH (Du, Wenhui)
;
Yang, XS (Yang, Xiesen)
;
Povolny, H (Povolny, Henry)
;
Xiang, XB (Xiang, Xianbi)
;
Deng, XM (Deng, Xunming)
;
Sun, K (Sun, Kai)
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浏览/下载:267/77
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提交时间:2010/03/29
amorphous semiconductors
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