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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2017 [1]
2016 [1]
2013 [1]
2004 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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Comparative study of electrical characteristics for n-type 4H–SiC planar and trench MOS capacitors annealed in ambient NO
期刊论文
Chinese Physics B, 2017, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 107101
作者:
Zhan-Wei Shen
;
Feng Zhang
;
Sima Dimitrijev
;
Ji-Sheng Han
;
Guo-Guo Yan
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2018/06/15
Influences of annealing on structural and compositional properties of Al2O3 thin films grown on 4H–SiC by atomic layer deposition
期刊论文
Chinese Physics B, 2016, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 128104
Li-Xin Tian
;
Feng Zhang
;
Zhan-Wei Shen
;
Guo-Guo Yan
;
Xing-Fang Liu
;
Wan-Shun Zhao
;
Lei Wang
;
Guo-Sheng Sun
;
Yi-Ping Zeng
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2017/03/10
Defect revelation and evaluation of 4H silicon carbide by optimized molten KOH etching method
期刊论文
materials science forum, 2013, 页码: 740-742
Lin Dong
;
Liu Zheng
;
Xingfang Liu
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2014/05/16
Structure and magnetic properties of ScFe6Ga6-type RCo5Ga7 (R = Y, Tb, Dy, Ho and Er)
期刊论文
journal of solid state chemistry, 2004, 卷号: 177, 期号: 11, 页码: 4341-4345
Chang H
;
Guo YQ
;
Yang LT
;
Liua, QL
;
Feng WC
;
Liang JK
;
Rao GH
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浏览/下载:48/0
  |  
提交时间:2010/03/17
crystal structure
Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应
期刊论文
物理学报, 1998, 卷号: 47, 期号: 1, 页码: 75
王佑祥
;
岳瑞峰
;
陈春华
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
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