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半导体研究所 [24]
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发表日期
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学科主题
半导体材料 [24]
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学科主题:半导体材料
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硅基太阳能电池前电极材料的制备及相关性能研究
学位论文
博士后, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
王超
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浏览/下载:83/0
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提交时间:2011/12/28
太阳能电池
前电极
ITO
复合膜
周期换向脉冲电沉积-硒化法制备铜铟镓硒薄膜
期刊论文
功能材料与器件学报, 2011, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 187-194
作者:
曲胜春
;
刘孔
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/07/17
铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析
期刊论文
中国科学. 技术科学, 2010, 卷号: 40, 期号: 11, 页码: 1378-1382
作者:
汪宇
;
黄添懋
;
张汉
;
杨晓丽
;
施辉伟
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2011/08/16
退火温度对ZnS/PS薄膜的晶体结构和光电性质的影响
期刊论文
光电子·激光, 2010, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 1805-1808
作者:
梁德春
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2011/08/16
PLD工艺制备高质量ZnO/Si异质外延薄膜
期刊论文
功能材料, 2009, 卷号: 40, 期号: 6, 页码: 956-958
作者:
赵杰
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
Fracture Properties of LPCVD Silicon Nitride and Thermally Grown Silicon Oxide Thin Films From the Load-Deflection of Long Si3N4 and SiO2/Si3N4 Diaphragms
期刊论文
journal of microelectromechanical systems, 2008, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1120-1134
Yang, JL
;
Gaspar, J
;
Paul, O
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/03/08
Bulge test
fracture
pooled Weibull analysis
silicon nitride (Si3N4)
silicon oxide (SiO2)
以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜
期刊论文
发光学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 861-864
作者:
王晓峰
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 204-208
作者:
魏学成
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究
期刊论文
原子能科学技术, 2006, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 614-619
作者:
赵强
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/11/23
非晶/微晶两相硅薄膜电池的计算机模拟
期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 7, 页码: 3370-3374
郝会颖
;
孔光临
;
曾湘波
;
许颖
;
刁宏伟
;
廖显伯
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/23
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