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铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析 期刊论文
中国科学. 技术科学, 2010, 卷号: 40, 期号: 11, 页码: 1378-1382
作者:  汪宇;  黄添懋;  张汉;  杨晓丽;  施辉伟
收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2011/08/16
退火温度对ZnS/PS薄膜的晶体结构和光电性质的影响 期刊论文
光电子·激光, 2010, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 1805-1808
作者:  梁德春
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/08/16
PLD工艺制备高质量ZnO/Si异质外延薄膜 期刊论文
功能材料, 2009, 卷号: 40, 期号: 6, 页码: 956-958
作者:  赵杰
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23
以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜 期刊论文
发光学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 861-864
作者:  王晓峰
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23
缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响 期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 466-470
作者:  韩修训;  黎大兵
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23
双异质外延SOI材料Si/γ-Al_3O_3/Si的外延生长 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: 1289-1292
作者:  王俊;  王俊
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/11/23
GaN蓝光材料新型ZnO/Si外延衬底的溅射沉积 期刊论文
中国科学. E辑，技术科学, 2000, 卷号: 30, 期号: 2, 页码: 127
贺洪波; 范正修; 姚振钰; 汤兆胜
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/23

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