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半导体研究所 [32]
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学科主题:半导体材料
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基于二维缓冲层的非晶衬底Al(Ga)N薄膜生长研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
李杨
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2017/06/05
Ⅲ族氮化物
氮化铝
氮化镓
二维材料
石墨烯
二维过渡金属硫化物
硅衬底氮化镓材料制备生长研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
冯玉霞
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2015/06/02
Si衬底
AlN
GaN
生长机制
应力
GaN 基 HEMT材料的新结构研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
毕杨
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2012/05/30
氮化镓
铟铝氮
二维电子气
高电子迁移率晶体管
短沟道效应
高效氮化镓基垂直结构LED的研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
郭恩卿
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2011/06/07
高抗静电能力氮化镓基LED外延结构与MOCVD生长工艺研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
李志聪
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浏览/下载:97/6
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提交时间:2011/06/07
基于文献计量分析的LED知识图谱及产业化对策
期刊论文
情报学报, 2009, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 443-450
王吉武
;
黄鲁成
;
李剑
;
刘王来
;
卢文光
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究
期刊论文
材料科学与工艺, 2002, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 11-13
周江峰
;
王建朝
;
李昌义
;
潘华勇
;
冯孙齐
;
俞大鹏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/11/23
铟镓氮薄膜的光电特性
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 143-148
作者:
韩培德
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
半导体材料的华丽家族-氮化镓基材料简介
期刊论文
物理, 2001, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 413
孙殿照
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异
期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1030
作者:
韩培德
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
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