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纳米半导体技术 专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
作者:  叶小玲
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GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 142-144
作者:  刘超
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2010/11/23
原子氢辅助分子束外延生长台阶状表面形貌的研究 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 148-152
作者:  牛智川
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2010/11/23
GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 168-172
作者:  牛智川
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快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响 期刊论文
物理学报, 2002, 卷号: 51, 期号: 7, 页码: 1564-1570
王永谦; 陈维德; 陈长勇; 刁宏伟; 张世斌; 徐艳月; 孔光临; 廖显伯
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2010/11/23
GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 896
刘学锋; 刘金平; 李建平; 李灵霄; 孙殿照; 孔梅影; 林兰英
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用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 513
盛殊然; 孔光临; 廖显伯; 夏传钺; 郑怀德
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