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大尺寸硅衬底上氮化物外延生长及HEMT制备技术研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
刘波亭
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GaN  Si  应变  HEMT  迁移率  
长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备 期刊论文
物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 10, 页码: 5216-5220
作者:  潘教青;  王圩;  朱洪亮
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