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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145 作者:  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：83/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE   Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157 作者:  Wei TB;  Wei XC;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：84/6  |  提交时间：2010/03/08 HRXRD  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Semipolar