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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2011 [1]
2005 [1]
2001 [1]
2000 [1]
1999 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Anisotropic transport of two-dimensional electron gas modulated by embedded elongated GaSb/GaAs quantum dots
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 3, 页码: article no.32103
Li GD
;
Jiang C
;
Zhu QS
;
Sakaki H
收藏
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浏览/下载:60/9
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提交时间:2011/07/05
HETEROJUNCTION
MOBILITY
SCATTERING
PHYSICS
FIELD
Self-organized superlattices along the [001] growth direction in In0.52Al0.48As layers grown on nominally (001) InP substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
superlattices and microstructures, 2005, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 151-160
Wang YL
;
Chen YH
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Zeng YP
收藏
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浏览/下载:86/21
  |  
提交时间:2010/03/17
composition modulation
Structural anisotropy and optical properties of InxGa1-xAs quantum dots on GaAs(001)
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 55-60
Lin F
;
Wu J
;
Jiang WH
;
Cui H
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:103/5
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提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
GROWTH
PHOTOLUMINESCENCE
SURFACES
ARRAYS
LASER
Defects and morphologies in In0.8Ga0.2As/InAlAs/InP(001) for high electron-mobility transistors
期刊论文
defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 147-152
Wu J
;
Lin F
收藏
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浏览/下载:54/0
  |  
提交时间:2010/08/12
In0.8Ga0.2As/InAlAs/InP
misfit dislocations
surface morphology
GROWTH
RELAXATION
SUBSTRATE
CIRCUITS
InAs/ln(0.52)Al(0.48)As quantum wire structure with the specific layer-ordering orientation on InP(001)
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 1-2, 页码: 95-98
作者:
Xu B
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
quantum wires
layer-order-orientation
CONFINEMENT
STRAIN
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