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半导体研究所 [12]
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期刊论文 [11]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [2]
2008 [1]
2006 [3]
2005 [1]
2004 [1]
2003 [1]
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学科主题
半导体材料 [12]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1)
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100
Wei, M
;
Wang, XL
;
Pan, X
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hou, QF
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
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提交时间:2012/01/06
GaN
MOCVD
Si(111)
AlN
VAPOR-PHASE EPITAXY
LAYERS
SUBSTRATE
MOCVD
STRESS
Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111)
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299
Wu, JJ
;
Zhao, LB
;
Zhang, GY
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Jia, QJ
;
Guo, LP
;
Hu, TD
收藏
  |  
浏览/下载:71/3
  |  
提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
TEMPERATURE ALN INTERLAYERS
PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACTANT
SUBSTRATE
STRESS
SI
REDUCTION
SAPPHIRE
Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231
Wu JJ (Wu Jiejun)
;
Han XX (Han Xiuxun)
;
Li JM (Li Jiemin)
;
Wei HY (Wei Hongyuan)
;
Cong GW (Cong Guangwei)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Jia QJ (Jia Quanjie)
;
Guo LP (Guo Liping)
;
Hu TD (Hu Tiandou)
;
Wang HH (Wang Huanhua)
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/04/11
in doping
cracks
Si(111) substrate
LT-AlGaN interlayer
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
PHASE EPITAXY
INDIUM-SURFACTANT
OPTICAL-PROPERTIES
SI(111)
STRESS
FILMS
Room-temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots
期刊论文
electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: g167-g170
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2010/04/11
SEMICONDUCTOR-DEVICES
TRANSPORT
STATES
BISTABILITY
VOLTAGE
LASERS
DIODE
Influence of dislocation stress field on distribution of quantum dots
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 130-133
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/04/11
stress
surface structure
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
STRAIN
THICKNESS
Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340
作者:
Li DB
;
Wei HY
;
Han XX
收藏
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浏览/下载:62/22
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提交时间:2010/03/17
cracks
Crack-free InAlGaN quaternary alloy films grown on Si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 79-85
Wu, JJ
;
Li, DB
;
Lu, Y
;
Han, XX
;
Li, JM
;
Wei, HY
;
Kang, TT
;
Wang, XH
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:77/0
  |  
提交时间:2010/03/17
cracks
The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91-98
Lu YA
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Yuan HR
;
Hu GQ
;
Wang XH
;
Wang ZG
;
Duan XF
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/08/12
Si(111) substrate
heteroepitaxy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
LIGHT-EMITTING-DIODES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION LAYERS
BUFFER LAYER
SILICON
SAPPHIRE
NITRIDE
EPITAXY
STRESS
STRAIN
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 371-375
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
收藏
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浏览/下载:99/8
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提交时间:2010/08/12
impurities
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE SUBSTRATE
DEFECTS
HETEROSTRUCTURE
SEMICONDUCTORS
STRESS
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