×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2010 [1]
2003 [1]
2001 [2]
学科主题
半导体材料 [4]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers
期刊论文
thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Deng SK (Deng Shukang)
;
Shen LX (Shen Lanxian)
;
Yang PZ (Yang Peizhi)
;
Tu JL (Tu Jielei)
;
Liao H (Liao Hua)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/12/28
Gallium Arsenide
Gallium antimonide
Gallium antimonide/Aluminum antimonide
Superlattices
Molecular Beam Epitaxy
VAPOR-PHASE EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
TEMPERATURE
RELAXATION
DETECTORS
GAAS(001)
MOCVD
FILMS
X-ray diffraction analysis of MOCVD grown GaN buffer layers on GaAs(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 1-2, 页码: 23-27
Shen XM
;
Wang YT
;
Zheng XH
;
Zhang BS
;
Chen J
;
Feng G
;
Yang H
收藏
  |  
浏览/下载:112/0
  |  
提交时间:2010/08/12
buffer layers
x-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
VAPOR-PHASE EPITAXY
NUCLEATION LAYERS
CUBIC GAN
(001)GAAS SUBSTRATE
STRAIN RELAXATION
TEMPERATURE
DEPOSITION
QUALITY
DIODES
Effect of ion-induced damage on GaNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 140-144
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:100/7
  |  
提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
quantum wells
BAND-GAP ENERGY
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
GANXAS1-X
FILMS
Hydrogenated amorphous silicon films with significantly improved stability
期刊论文
solar energy materials and solar cells, 2001, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 123-133
Sheng SR
;
Liao XB
;
Ma ZX
;
Yue GZ
;
Wang YQ
;
Kong GL
收藏
  |  
浏览/下载:52/0
  |  
提交时间:2010/08/12
amorphous silicon
stability
A-SI-H
CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD
PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY
URBACH EDGE
SOLAR-CELLS
GAP STATES
ABSORPTION
DENSITY
SPECTROSCOPY
INCREASE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace