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科研机构
半导体研究所 [44]
内容类型
期刊论文 [44]
发表日期
2013 [2]
2011 [3]
2010 [4]
2009 [5]
2008 [4]
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学科主题
半导体材料 [44]
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN_AlN_GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 047102
Cao Zhi-Fang , Lin Zhao-Jun, Lü Yuan-Jie, Luan Chong-Biao and Wang Zhan-Guo
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2014/03/18
Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 047102
Cao Zhi-Fang
;
Lin Zhao-Jun
;
Lu Yuan-Jie
;
Luan Chong-Biao
;
Wang Zhan-Guo
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2013/09/17
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhao JZ
;
Cao ZF
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Wang ZG
;
Chen H
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浏览/下载:65/6
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Cao ZF
;
Luan CB
;
Chen H
;
Wang ZG
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浏览/下载:58/2
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提交时间:2011/07/05
AlGaN/GaN heterostructures
thermal stressing
polarization
self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN
The influence of the InGaN back-barrier on the properties of Al(0.3)Ga(0.7)N/AlN/GaN/InGaN/GaN structure
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 10102
Bi Y
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Peng EC
;
Lin DF
;
Feng C
;
Jiang LJ
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2012/01/06
ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
ALGAN/GAN
POLARIZATION
PASSIVATION
HFETS
GHZ
Short range scattering mechanism of type-II GaSb/GaAs quantum dots on the transport properties of two-dimensional electron gas
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 043702
Li GD (Li Guodong)
;
Yin H (Yin Hong)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Sakaki H (Sakaki Hiroyuki)
;
Jiang C (Jiang Chao)
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浏览/下载:204/41
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提交时间:2010/10/11
PHOTOLUMINESCENCE
HETEROJUNCTIONS
SPECTROSCOPY
SYSTEMS
PHYSICS
Improved electroluminescence from n-ZnO/AlN/p-GaN heterojunction light-emitting diodes
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 20, 页码: art. no. 201102
You JB (You J. B.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Zhang SG (Zhang S. G.)
;
Wang JX (Wang J. X.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Tan HR (Tan H. R.)
;
Zhang WJ (Zhang W. J.)
;
Chu PK (Chu P. K.)
;
Cui B (Cui B.)
;
Wowchak AM (Wowchak A. M.)
;
Dabiran AM (Dabiran A. M.)
;
Chow PP (Chow P. P.)
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浏览/下载:225/45
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提交时间:2010/06/18
ZNO
DEPOSITION
In-plane stray field induced spin-filtering in a two-dimensional electron gas under the modulation of surface ferromagnetic dual-gate
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073703
Wang Y (Wang Y.)
;
Jiang Y (Jiang Y.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/14
BARRIER STRUCTURE
MAGNETIC-FIELD
POLARIZATION
CONDUCTANCE
DEVICE
Rashba and Dresselhaus spin-orbit coupling in GaN-based heterostructures probed by the circular photogalvanic effect under uniaxial strain
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 18, 页码: art. no. 181904
Yin CM (Yin Chunming)
;
Shen B (Shen Bo)
;
Zhang Q (Zhang Qi)
;
Xu FJ (Xu Fujun)
;
Tang N (Tang Ning)
;
Cen LB (Cen Longbin)
;
Wang XQ (Wang Xinqiang)
;
Chen YH (Chen Yonghai)
;
Yu JL (Yu Jinling)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/12/05
Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal AlxGa1-xAs barrier layer
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 1379-1381
作者:
Liu J
;
Zhu H
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浏览/下载:74/2
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提交时间:2010/03/08
HEMT
2DEG
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