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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
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浏览/下载:130/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz
期刊论文
solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929
Wang, XL
;
Chen, TS
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Luo, WJ
;
Tang, J
;
Guo, LC
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:78/1
  |  
提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMTs
SiC
power
AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMT structure with high mobility GaN thin layer as channel grown by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 835-839
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Ma ZY (Ma Zhiyong)
;
Ran JX (Ran Junxue)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Mao HL (Mao Hongling)
;
Tang H (Tang Han)
;
Li HP (Li Hanping)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Jinmin LM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/29
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