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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2010 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2001 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE
期刊论文
applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356
作者:
Wei HY
;
Song HP
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浏览/下载:139/13
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提交时间:2010/04/22
MOVPE
In-rich InGaN
Indium incorporation
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
CRITICAL THICKNESS
DROPLET FORMATION
PHASE-SEPARATION
TEMPERATURE
FILMS
HETEROSTRUCTURES
IMMISCIBILITY
INXGA1-XN
Growth temperature effect on the optical and material properties of AlxInyGa1-x-yN epilayers grown by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 84-90
作者:
Li DB
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/08/12
surfaces
X-ray diffraction
growth from high temperature solutions
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
semiconducting III-V materials
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
QUANTUM-WELL
LUMINESCENCE
DIODES
GAN
Photoluminescence assessment of undoped semi-insulating InP wafers obtained by annealing in iron phosphide vapour
期刊论文
semiconductor science and technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 6, 页码: 570-574
Dong HW
;
Zhao YW
;
Lu HP
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
FE-DOPED INP
SEMIINSULATING INP
ELECTRICAL-PROPERTIES
ROOM-TEMPERATURE
UNIFORMITY
PRESSURE
INGOT
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 501-505
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:147/24
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting IIIV materials
LUMINESCENCE
GAASN
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