QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文 thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230 Hao RT (Hao Ruiting); Deng SK (Deng Shukang); Shen LX (Shen Lanxian); Yang PZ (Yang Peizhi); Tu JL (Tu Jielei); Liao H (Liao Hua); Xu YQ (Xu Yingqiang); Niu ZC (Niu Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/12/28 Gallium Arsenide  Gallium antimonide  Gallium antimonide/Aluminum antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  VAPOR-PHASE EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  TEMPERATURE  RELAXATION  DETECTORS  GAAS(001)  MOCVD  FILMS   X-ray diffraction analysis of MOCVD grown GaN buffer layers on GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 1-2, 页码: 23-27 Shen XM; Wang YT; Zheng XH; Zhang BS; Chen J; Feng G; Yang H 收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2010/08/12 buffer layers  x-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  VAPOR-PHASE EPITAXY  NUCLEATION LAYERS  CUBIC GAN  (001)GAAS SUBSTRATE  STRAIN RELAXATION  TEMPERATURE  DEPOSITION  QUALITY  DIODES   Effect of ion-induced damage on GaNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 140-144 Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Wang XY; Wu RH; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：100/7  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  quantum wells  BAND-GAP ENERGY  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  GANXAS1-X  FILMS   Hydrogenated amorphous silicon films with significantly improved stability 期刊论文 solar energy materials and solar cells, 2001, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 123-133 Sheng SR; Liao XB; Ma ZX; Yue GZ; Wang YQ; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous silicon  stability  A-SI-H  CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  URBACH EDGE  SOLAR-CELLS  GAP STATES  ABSORPTION  DENSITY  SPECTROSCOPY  INCREASE