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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2010 [1]
2006 [1]
2000 [1]
1999 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073512
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Kong DH (Kong D. H.)
;
Wang W (Wang W.)
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  |  
浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
INAS QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
SURFACES
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
MIGRATION
ARRAYS
High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279
Wu MF
;
Zhou SQ
;
Vantomme A
;
Huang Y
;
Wang H
;
Yang H
收藏
  |  
浏览/下载:111/0
  |  
提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
BAND-GAP
EPITAXIAL LAYERS
INDIUM NITRIDE
HEXAGONAL INN
CUBIC INN
GROWTH
PARAMETERS
INGAN
PHASE
Microstructures of microcrystalline silicon thin films prepared by hot wire chemical vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 360, 期号: 1-2, 页码: 205-212
Zhu M
;
Guo X
;
Chen G
;
Han H
;
He M
;
Sun K
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浏览/下载:104/0
  |  
提交时间:2010/08/12
microstructures
microcrystalline silicon
hot wire chemical vapor deposition
AMORPHOUS-SILICON
HYDROGEN
PLASMA
SPECTRA
GROWTH
SILANE
Si doping effect on self-organized InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 603-607
Zhao Q
;
Feng SL
;
Ning D
;
Zhu HJ
;
Wang ZM
;
Deng YM
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/08/12
self-organized quantum dots
InAs/GaAs
scanning probe microscopy
doping effect
INAS
GROWTH
GAAS
GAAS(001)
ISLANDS
ATOMIC-FORCE MICROSCOPE
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