×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
会议论文 [6]
发表日期
2006 [1]
2003 [2]
2002 [1]
2001 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [6]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Synthesis of GaN nanorods with vertebra-like morphology
会议论文
ieee international conference of nano/micro engineered and molecular systems, zhuhai, peoples r china, jan 18-21, 2006
Gao, HY (Gao, Haiyong)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
收藏
  |  
浏览/下载:113/30
  |  
提交时间:2010/03/29
GaN nanorods
Ga2O3/ZnO films
nitritding
morphology
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FILMS
Polymorphous silicon nanowires synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition
会议论文
symposium on quantum confined semiconductor nanostructures held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02, 2001-dec 05, 2002
Zeng XB
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Hu ZH
;
Xu YY
;
Zhang SB
;
Chen CY
;
Chen WD
;
Kong GL
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/10/29
LASER-ABLATION
SEMICONDUCTOR NANOWIRES
GROWTH
MECHANISM
EVAPORATION
DIAMETER
WIRES
Growth and photoluminescence of InAlGaN films
会议论文
5th international conference on nitride semiconductors (icns-5), nara, japan, may 25-30, 2003
作者:
Li DB
收藏
  |  
浏览/下载:13/2
  |  
提交时间:2010/10/29
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
QUATERNARY ALLOYS
OPTICAL-PROPERTIES
Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers
会议论文
9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/11/15
defects
GaN
photoluminescence
electronic structures
YELLOW LUMINESCENCE
EPITAXIAL-FILMS
MG
Determination of the interdiffusion coefficients of liquid Zn and Sn using Ta/Zn-Sn/Si trilayers
会议论文
5th international conference on diffusion in materials, paris, france, jul 17-21, 2000
Wang WK
;
Zhao JH
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2010/11/15
convection-less condition
liquid metal diffusion
solid/liquid-liquid/solid trilayer
Influence of precipitates on GaN epilayer quality
会议论文
iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
Kang JY
;
Huang QS
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/15
precipitate
GaN
WDS
TEM
cathodoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
MECHANISM
GROWTH
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace