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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 中红外波段GaSb基激光器的材料生长与器件制备 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017 柴小力 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2017/05/31 窄带隙半导体  锑化镓量子阱  中红外激光器  分子束外延  DBR光栅   高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟 期刊论文 红外与激光工程, 2008, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 440-443 作者:  张宇 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 国内大功率半导体激光器研究及应用现状 期刊论文 红外与激光工程, 2008, 卷号: 37, 期号: 2, 页码: 189-194 作者:  王俊;  王俊 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器 期刊论文 光电子·激光, 2000, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 4 作者:  陈良惠 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/11/23 LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性 期刊论文 光子学报, 1997, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 418 作者:  王圩;  王玉田;  朱洪亮 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/23 LP-MOVPE生长的1.3μmInGaAsP/InP张压应变交替MQW特性 期刊论文 半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 232 作者:  王圩;  朱洪亮 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器 期刊论文 高技术通讯, 1996, 卷号: 6, 期号: 11, 页码: 4 作者:  陈良惠 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23