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半导体研究所 [5]
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半导体器件 [5]
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学科主题:半导体器件
内容类型:专利
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一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HEMT结构及生长方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
张连
;
张韵
;
闫建昌
;
王军喜
;
李晋闽
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2016/08/30
利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
梁萌
;
李鸿渐
;
姚然
;
李志聪
;
李盼盼
;
王兵
;
李璟
;
伊晓燕
;
王军喜
;
王国宏
;
李晋闽
收藏
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2014/10/31
应用石墨烯作为导热层的倒装结构发光二极管
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24
李智
;
张逸韵
;
程滟
;
赵勇兵
;
刘志强
;
伊晓燕
;
王国宏
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2014/11/24
应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的垂直结构发光二极管
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-24
马骏
;
汪炼成
;
张逸韵
;
伊晓燕
;
王国宏
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2014/10/28
具有应力释放层的绿光LED外延结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
张宁
;
刘喆
;
李晋闽
;
王军喜
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2014/11/24
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