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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Determination of the tilt and twist angles of curved GaN layers by high-resolution x-ray diffraction 期刊论文 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: art.no.125007 Liu, JQ (Liu, J. Q.); Wang, JF (Wang, J. F.); Qiu, YX (Qiu, Y. X.); Guo, X (Guo, X.); Huang, K (Huang, K.); Zhang, YM (Zhang, Y. M.); Hu, XJ (Hu, X. J.); Xu, Y (Xu, Y.); Xu, K (Xu, K.); Huang, XH (Huang, X. H.); Yang, H (Yang, H.) 收藏  |  浏览/下载：245/114  |  提交时间：2010/03/08 THIN-FILMS   Slow wave effect of 2-D photonic crystal coupled cavity array 期刊论文 acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 571-575 Du XY; Zheng WH; Ren G; Wang K; Xing MX; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：52/8  |  提交时间：2010/03/08 photonic crystal   Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917 作者:  Jiang DS;  Zhu JJ;  Li XY;  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE