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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Multifunctional silicon-based light emitting device in standard complementary metal-oxide-semiconductor technology 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18503 作者:  Dong Z;  Huang BJ 收藏  |  浏览/下载：50/2  |  提交时间：2011/07/05 optoelectronic integrated circuit  complementary metal-oxide-semiconductor technology  silicon-based light emitting device  electroluminescence  AVALANCHE BREAKDOWN  PHOTON-EMISSION  CURRENT-DENSITY  DIODES  MODEL  ELECTROLUMINESCENCE  SUPERLATTICES  EFFICIENCY  JUNCTIONS  LEDS   Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties 期刊论文 physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672 Wang H (Wang H.); Jiang DS (Jiang D. S.); Jahn U (Jahn U.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Qiu YX (Qiu Y. X.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/12/12 InGaN  Dislocation  Metalorganic chemical vapor deposition  High resolution X-ray diffraction  Cathodoluminescence  MISFIT DISLOCATIONS  QUANTUM-WELLS  BAND-GAP  EPILAYERS  GENERATION  ALLOYS  INN   Mechanical Deformation Behavior of Nonpolar GaN Thick Films by Berkovich Nanoindentation 期刊论文 nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: 753-757 作者:  Duan RF;  Wei TB 收藏  |  浏览/下载：96/0  |  提交时间：2010/03/08 GaN  Nonpolar  HVPE  Nanoindentation  Cathodoluminescence  Raman mapping   Silicon light emitting devices in CMOS technology 期刊论文 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 265-267 Chen HD (Chen Hong-Da); Liu HJ (Liu Hai-Jun); Liu JB (Liu Jin-Bin); Ming G (Ming Gu); Huang BJ (Huang Bei-Ju) 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/29 ELECTROLUMINESCENCE   High brightness AlGaInP orange light emitting diodes 会议论文 conference on display devices and systems ii, beijing, peoples r china, sep 16-17, 1998 Li YZ; Wang GH; Ma XY; Peng HI; Wang ST; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/10/29 high brightness  LED  MOCVD  AlGaInP   Electroluminescence and photoluminescence of Si/SiGe self-assembly quantum dot structures 会议论文 conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998 Si JJ; Yang QQ; Wang HJ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/10/29 Si/SiGe  quantum dot  electroluminescence  photoluminescence