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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Edge-Triggered Ultra-Wideband Pulse Shaper Using Polarization-to-Intensity Conversion 期刊论文 ieee photonics technology letters, 2012, 卷号: 24, 期号: 20, 页码: 1845-1848 Zheng JY (Zheng, Jianyu); Zhu NH (Zhu, Ninghua); Du YX (Du, Yuanxin); Wang H (Wang, Hui); Wang LX (Wang, Lixian); Liu JG (Liu, Jianguo) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/03/27 Luminescence distribution and hole transport in asymmetric InGaN multiple-quantum well light-emitting diodes 期刊论文 journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 9, 页码: 94009-1-94009-4 作者:  Duan Ruifei;  Duan Ruifei;  Ji Xiaoli;  Ding Kai 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/08/16 An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464 作者:  Wang YT;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：147/11  |  提交时间：2010/04/04 Nitride materials  Crystal growth  X-ray diffraction  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  LIGHT-EMITTING-DIODES  PIEZOELECTRIC FIELDS  LASER-DIODES  DEPENDENCE  RECOMBINATION  POLARIZATION  DYNAMICS  GROWTH  MOCVD   Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN? 期刊论文 journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Liang, JW; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：51/5  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Spatial distribution of deep level defects in crack-free AlGaN grown on GaN with a high-temperature AlN interlayer 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123101 Sun, Q (Sun, Q.); Wang, H (Wang, H.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Jin, RQ (Jin, R. Q.); Huang, Y (Huang, Y.); Zhang, SM (Zhang, S. M.); Yang, H (Yang, H.); Jahn, U (Jahn, U.); Ploog, KH (Ploog, K. H.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/29 LIGHT-EMITTING-DIODES   Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917 作者:  Jiang DS;  Zhu JJ;  Li XY;  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Influence of dislocations on photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 7, 页码: art.no.071908 作者:  Jiang DS;  Zhang JC;  Yang H;  Zhang JC;  Zhang JC 收藏  |  浏览/下载：64/14  |  提交时间：2010/03/17 X-RAY-DIFFRACTION   Enhancement of the far-field output power and the properties of the very-small-aperture lasers 期刊论文 applied physics b-lasers and optics, 2005, 卷号: 81, 期号: 4, 页码: 503-506 Gan Q; Song G; Xu Y; Yang G; Li Y; Cao Q; Ma W; Gao J; Chen L 收藏  |  浏览/下载：118/53  |  提交时间：2010/03/17 SINGLE SUBWAVELENGTH APERTURE   Characteristics of oxide-free InGaAlAs layers grown by narrow stripe selective MOVPE 期刊论文 semiconductor science and technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1083-1086 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：94/37  |  提交时间：2010/03/17 VAPOR-PHASE EPITAXY