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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [1]
2006 [3]
1999 [1]
学科主题
光电子学 [5]
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学科主题:光电子学
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An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464
作者:
Wang YT
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:147/11
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提交时间:2010/04/04
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
LIGHT-EMITTING-DIODES
PIEZOELECTRIC FIELDS
LASER-DIODES
DEPENDENCE
RECOMBINATION
POLARIZATION
DYNAMICS
GROWTH
MOCVD
Narrow stripe selective growth of oxide-free InGaAlAs/InGaAlAs MQWs by ultra-low pressure MOVPE
期刊论文
semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 841-845
Feng W (Feng W.)
;
Pan JQ (Pan J. Q.)
;
Zhou F (Zhou F.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Zhao LJ (Zhao L. J.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Wang W (Wang W.)
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/04/11
VAPOR-PHASE EPITAXY
BURIED-HETEROSTRUCTURE LASERS
QUANTUM-WELL STRUCTURES
BANDGAP ENERGY CONTROL
LAYERS
INGAASP
AlGaInAs narrow stripe selective growth on substrates patterned with different mask designs
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 2330-2334
作者:
Pan JQ
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/04/11
VAPOR-PHASE EPITAXY
BURIED-HETEROSTRUCTURE LASERS
BANDGAP ENERGY CONTROL
QUANTUM-WELL LASERS
PRESSURE MOVPE
AREA GROWTH
INGAALAS
LAYERS
Investigations on oxide-free InGaAlAs waveguides grown by narrow stripe selective MOVPE
会议论文
12th international conference on indium phosphide and related materials, princeton, nj, may 07-11, 2006
Feng, W (Feng, W.)
;
Pan, JQ (Pan, J. Q.)
;
Zhou, F (Zhou, F.)
;
Zhao, LJ (Zhao, L. J.)
;
Zhu, HL (Zhu, H. L.)
;
Wang, W (Wang, W.)
收藏
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浏览/下载:94/15
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提交时间:2010/03/29
BURIED-HETEROSTRUCTURE LASERS
BANDGAP ENERGY CONTROL
VAPOR-PHASE EPITAXY
PRESSURE MOVPE
CONVERTER
Photoluminescence properties of nitrogen-doped ZnSe epilayers
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 13-18
Zhu ZM
;
Liu NZ
;
Li GH
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Wang SZ
;
He L
;
Ji RB
;
Wu Y
收藏
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提交时间:2010/08/12
ZnSe : N
photoluminescence
hound exciton
P-TYPE ZNSE
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASER-DIODES
LUMINESCENCE
ACCEPTORS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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