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科研机构
半导体研究所 [36]
内容类型
期刊论文 [30]
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发表日期
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2013 [1]
2010 [1]
2009 [3]
2008 [3]
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学科主题
光电子学 [36]
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学科主题:光电子学
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Temperature dependence of photoluminescence spectra for green ligh emission from InGaN/GaN multiple wells
期刊论文
optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 15935
W. Liu
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
M. Shi
;
D. M.Zhao
;
X. Li
;
J. P. Liu
;
S. M. Zhang
;
H. Wang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T.Du
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2016/03/23
Dependence of the optoelectronic properties of selenium-hyperdoped silicon on the annealing temperature
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2013, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 987–991
Shaoxu Hu, Peide Han, Yanhong Mi, Yupeng Xing, Peng Liang, Yujie Fan
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2014/04/08
Highly efficient photoluminescence of Er2SiO5 films grown by reactive magnetron sputtering method
期刊论文
journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 3, 页码: 411-414
作者:
Xue CL
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/04/05
Erbium silicate
Photoluminescence
Si photonics
WAVE-GUIDE AMPLIFIERS
CRYSTALLINE FILMS
ERBIUM SILICATE
ENERGY-TRANSFER
SI
ER3+
EXCITATION
Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:
Li Y
;
Chen P
;
Jiang DS
;
Wang H
;
Wang ZG
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2010/03/08
InN
dislocation
carrier origination
localization
Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410
作者:
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
;
Zhu JJ
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
QUANTUM DOTS
BAND-GAP
GROWTH
SURFACES
Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: art. no. 092102
作者:
Su SJ
;
Xue CL
收藏
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浏览/下载:52/1
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提交时间:2010/03/08
SEMICONDUCTORS
DEPENDENCE
SILICON
GAP
Temperature Sensitivity Dependence on Cavity Length in p-Type Doped and Undoped 1.3-mu m InAs-GaAs Quantum-Dot Lasers
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2008, 卷号: 20, 期号: 21-24, 页码: 1860-1862
作者:
Yang T
;
Cao YL
;
Ma WQ
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浏览/下载:238/72
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提交时间:2010/03/08
Characteristics temperature
p-doped
quantum-dot (QD) laser
saturation modal gain
Subtraction of scattering parameters for adiabatic intrinsic responses of semiconductor lasers
期刊论文
microwave and optical technology letters, 2008, 卷号: 50, 期号: 4, 页码: 992-995
Zhang, SJ
;
Zhu, NH
;
Liu, Y
;
Liu, YZ
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浏览/下载:56/2
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提交时间:2010/03/08
semiconductor laser
scattering parameter
intrinsic response
chip temperature
pulse injection
Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped InAs/GaAs quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: art. no. 083121
Liu, HY
;
Meng, ZM
;
Dai, QF
;
Wu, LJ
;
Guo, Q
;
Hu, W
;
Liu, SH
;
Lan, S
;
Yang, T
收藏
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浏览/下载:54/3
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提交时间:2010/03/08
ENERGY RELAXATION
ELECTRON RELAXATION
CAPTURE
PHONON
INAS
GAAS
TEMPERATURE
DEPENDENCE
DENSITY
TIME
Depth dependence of structural quality in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 516-519
作者:
Wang H
;
Wang YT
;
Wang LL
;
Yang H
;
Wang H
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/29
X-ray diffraction
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