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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2014 [1]
2010 [1]
2006 [4]
学科主题
光电子学 [6]
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学科主题:光电子学
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Effects of Rapid Thermal Process Temperatures on Strain and Si Concentration Distributions in Ge-on-Insulator Structures Formed by Rapid Melt Growth
期刊论文
ecs solid state letters, 2014, 卷号: 3, 期号: 7, 页码: q33-q35
Wen, JJ
;
Zhang, DL
;
Liu, Z
;
Zhou, TW
;
Xue, CL
;
Zuo, YH
;
Li, CB
;
Wang, QM
;
Cheng, BW
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/05/11
Evaluation of both composition and strain distributions in InGaN epitaxial film using x-ray diffraction techniques
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: art. no. 106802
Guo X (Guo Xi)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/11/02
InGaN
In-plane grazing incidence x-ray diffraction
reciprocal space mapping
biaxial strain
CRITICAL LAYER THICKNESS
OPTICAL-PROPERTIES
LATTICE-CONSTANTS
GAN
HETEROSTRUCTURES
ALLOYS
WELLS
Effect of the longitudinal and transverse stacking period of InAs/GaAs quantum dots on the distribution of strain field
期刊论文
acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 10, 页码: 5023-5029
Liu YM (Liu Yu-Min)
;
Yu ZY (Yu Zhong-Yuan)
;
Yang HB (Yang Hong-Bo)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/04/11
strain
semiconductor quantum dot
self-organization
ELECTRONIC-STRUCTURE
FINITE-ELEMENT
STATE
Spatial distribution of deep level defects in crack-free AlGaN grown on GaN with a high-temperature AlN interlayer
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123101
Sun, Q (Sun, Q.)
;
Wang, H (Wang, H.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Jin, RQ (Jin, R. Q.)
;
Huang, Y (Huang, Y.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Jahn, U (Jahn, U.)
;
Ploog, KH (Ploog, K. H.)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/29
LIGHT-EMITTING-DIODES
Thermal stress analysis for GaInAsP multiple quantum well wafer chemically bonded to Si (100)
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 2, 页码: art.no.023513
Zhao HQ (Zhao Hong-Quan)
;
Yu LJ (Yu Li-Juan)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/04/11
ACTIVATED BONDING METHOD
ROOM-TEMPERATURE
EPITAXIAL OVERGROWTHS
SURFACE
CRYSTAL
GAAS
TECHNOLOGY
ENERGY
FILMS
The strain distributions and carrier's confining potentials of self-organized InAs/GaAs quantum dot
期刊论文
international journal of modern physics b, 2006, 卷号: 20, 期号: 29, 页码: 4899-4907
Liu YM (Liu Yumin)
;
Yu ZY (Yu Zhongyuan)
;
Huang YZ (Huang Yongzhen)
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提交时间:2010/03/29
quantum dot
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